拓米研究院(TTRI)SiNW技術

材料合成: TOMI已成功地低成本、高效率制備出硅納米線團(SiNW),單次產出>0.5kg/批,一次產物純度>93%。
材料分散: TOMI已成功制備高分散狀態的硅納米線分散液。
材料包覆: TOMI已成功制備高度包覆的硅碳負極,具有優異的循環性能。拓米技術:0.2C~900mAh/g。

拓米研究院(TTRI)SiNW技術

預鋰化:經過化學試劑預鋰化,硅納米線表面變粗糙,首效由原有83%左右提高至約92%,循環性能保持穩定。
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